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宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能 西安电子科技大学出版社书籍详细信息
- ISBN：9787560664446
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2022-09
- 页数：328
- 价格：102.40
- 纸张：胶版纸
- 装帧：精装
- 开本：16开
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
寄语：
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内容简介：
氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。
本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。
书籍目录：
第1章氧化镓简介
1.1引言
1.2氧化镓品体的基本性质
1.2.1结构性质
1.2.2光学性质
1.2.3电学性质
1.2.4热学性质
1.3总结与展望
参考文献
第2章氧化镓体块单晶生长
2.1氧化镓单晶提拉法生长
2.1.1提拉法简介
2.1.2提拉法生长氧化物晶体
2.1.3提拉法氧化镓单晶生长探索及进展
2.1.4提拉法晶体生长中的螺旋生长现象
2.2氧化镓单晶导模法生长
……
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其它内容：
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书籍真实打分
故事情节：6分
人物塑造：6分
主题深度：9分
文字风格：3分
语言运用：8分
文笔流畅：4分
思想传递：5分
知识深度：8分
知识广度：6分
实用性：3分
章节划分：9分
结构布局：5分
新颖与独特：8分
情感共鸣：6分
引人入胜：6分
现实相关：9分
沉浸感：4分
事实准确性：5分
文化贡献：8分
网站评分
书籍多样性：9分
书籍信息完全性：4分
网站更新速度：8分
使用便利性：7分
书籍清晰度：7分
书籍格式兼容性：4分
是否包含广告：9分
加载速度：9分
安全性：8分
稳定性：4分
搜索功能：3分
下载便捷性：4分
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下载评价
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