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氮化镓晶体生长技术书籍详细信息
- ISBN：9787511465214
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：暂无出版时间
- 页数：232
- 价格：暂无价格
- 纸张：暂无纸张
- 装帧：暂无装帧
- 开本：暂无开本
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
内容简介：
本书属Springer材料科学系列教材之一，主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有：GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN高生长速率的金属有机物气相外延法、热氨法生长GaN体材料、高/低压环境下的GaN生长技术、Na流量法生在大尺寸GaN技术简介、GaN晶体的表征方法等内容。
书籍目录：
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出版社信息：
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其它内容：
书籍介绍
本书属Springer材料科学系列教材之一，主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有：GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN高生长速率的金属有机物气相外延法、热氨法生长GaN体材料、高/低压环境下的GaN生长技术、Na流量法生在大尺寸GaN技术简介、GaN晶体的表征方法等内容。
书籍真实打分
故事情节：8分
人物塑造：6分
主题深度：6分
文字风格：6分
语言运用：3分
文笔流畅：4分
思想传递：4分
知识深度：7分
知识广度：5分
实用性：4分
章节划分：9分
结构布局：4分
新颖与独特：3分
情感共鸣：6分
引人入胜：3分
现实相关：4分
沉浸感：6分
事实准确性：3分
文化贡献：4分
网站评分
书籍多样性：5分
书籍信息完全性：4分
网站更新速度：5分
使用便利性：8分
书籍清晰度：9分
书籍格式兼容性：3分
是否包含广告：9分
加载速度：4分
安全性：9分
稳定性：6分
搜索功能：4分
下载便捷性：9分
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